Applikationshandbuch leistungshalbleiter semikron skm40gd123d

Source CGS RG Gate SiO2 Source Al D (Drain) n + RW p - CGD p - R D p + p + CDS C GD C DS RD n - n + n + n - G (Gate) R G C GS R W "Inverse Diode" Drain SZielstellung jeder Entwicklung von Leistungshalbleitern und de- ren Einsatz in Schaltungen ist die Annäherung an eine möglichst verlustarme Betriebsweise.